更新時間:2023-08-18
光入浸式光導(dǎo)室溫型HgCdTe探測器特點:室溫下工作;D*(10.6 µm)達(dá)到3*108cmHz1/2/W;響應(yīng)時間≤1ns;動態(tài)范圍寬;與快速邏輯元器件*兼容;使用方便;低成本;及時交貨;可根據(jù)客戶要求設(shè)計。
光入浸式光導(dǎo)室溫型HgCdTe探測器介紹
PCI-n(n表示特性波長,單位是微米)系列的光電探測器是非制冷紅外光電探測器,使用高折射率的GaAs(或CdZnTe )過半球透鏡(標(biāo)準(zhǔn))或者半球透鏡(可選)進(jìn)行光浸入。這些裝置在2~12µm范圍內(nèi)的任意值可以達(dá)到好的性能。他們的高性能和穩(wěn)定性通過新開發(fā)的變隙(HgCdZnTe)半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來獲得??梢园纯蛻羲ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧⒍嘣嚵?、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。
光入浸式光導(dǎo)室溫型HgCdTe探測器參數(shù)
特性(@ 20ºC)  | 單位  | LD-PCI-4  | LD-PCI-5  | LD-PCI-6  | LD-PCI-9  | LD-PCI-10.6  | 
特性波長λop  | µm  | 4  | 5  | 6  | 9  | 10.6  | 
探測率: at λ? peak, 20kHz at λop, 20kHz  | cmHz1/2/W  | 
 >1E10 >6E9  | 
 >6E9 >4E9  | 
 >2.5E9 >1E9  | 
 >5E8 >1E8  | 
 >1E8 >5E7  | 
響應(yīng)度-@λop  | Vmm/W  | >600  | >300  | >60  | >3  | >1  | 
響應(yīng)時間τ  | ns  | <1000  | <500  | <200  | <2  | <1  | 
1/f噪聲拐點頻率  | kHz  | 1-20  | 1-20  | 1-20  | 1-20  | 1-20  | 
有效面積(長×寬)  | mm×mm  | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2  | ||||
偏置電流-寬度比  | mA /mm  | 1-2  | 2-4  | 3-10  | 3-15  | 5-20  | 
薄層電阻系數(shù)  | Ω/sqr  | 300-1000  | 200-400  | 100-300  | 50-150  | 40-120  | 
視場, F#  | deg  | 36,1.62  | ||||
